Se espera que Fab 4 inicie la producción en masa en diciembre de 2007 y alcance una capacidad de producción de 80,000 semiconductores al mes en el segundo semestre de 2008.
Toshiba y SanDisk celebraron la apertura de Fab 4, la planta de fabricación de semiconductores de 300mm más reciente en Yokkaichi Operations de Toshiba, en la Prefectura de Mie, Japón.
Respondiendo a la demanda de memoria NAND flash utilizada en una amplia variedad de aplicaciones digitales, incluyendo reproductores de medios digitales, teléfonos móviles, computadoras personales y tarjetas de memoria, Toshiba inició en agosto de 2006 la construcción de Fab 4.
Se espera que Fab 4 inicie la producción en masa en diciembre de 2007 y alcance una capacidad de producción de 80,000 semiconductores al mes en el segundo semestre de 2008. La nueva planta aún tiene espacio para ampliar su capacidad y una mayor inversión podría elevar la producción a 210,000 semiconductores al mes, en respuesta al incremento que se proyecta en la demanda del mercado a futuro. En un inicio, Fab 4 empleará la tecnología de proceso de 56 nanómetros (nm) y hay planes para hacer la transición gradual a la tecnología de 43 nm, a partir de marzo de 2008.
“Toshiba y nuestro socio SanDisk están contentos de celebrar la construcción de esta nueva planta", aseguró el Shozo Saito, Vicepresidente Corporativo de Toshiba Corporation y Presidente & CEO de Semiconductor Company de Toshiba. “Fab 4 incluirá capacidades de manufactura de clase mundial, tanto en escala como en productividad. Nos ayudará a fortalecer nuestro liderazgo en el mercado global de memorias NAND flash de más alta densidad, y ofrecerán un motor de crecimiento poderoso a ambas compañías".
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